RTU Research Information System
Latviešu English

Patents: Graded band gap pn homojunction formation method in silicon

Type Ārvalstu
Number EP2838120B1
Title in English Graded band gap pn homojunction formation method in silicon
Patenta publikācijas (reģistrācijas) datums 23.03.2016
Patenta pieteikuma datums 12.08.2013
Authors Artūrs Medvids , Pāvels Onufrijevs , Edvīns Daukšta , Gundars Mežinskis
Department (14100) Silikātu materiālu institūts, (14500) Tehniskās fizikas institūts