RTU Research Information System
Latviešu English

Patents: Initiation method of phase trasition in tin sulphides

Type Latvian
Patent number LV15214B
Application number P-16-96
Title in Latvian Fāžu pāreju ierosināšanas paņēmiens alvas sulfīdos
Title in English Initiation method of phase trasition in tin sulphides
Date of publication (B) 20.05.2017
Date of filling 09.12.2016
Authors Līga Grase , Artūrs Medvids , Pāvels Onufrijevs
Department (14500) Institute of technical physics, (14100) Institute of silicate materials
Summary

Izgudrojums attiecas uz tehnisko fiziku un var tikt izmantots gaismu absorbējošo un gaismu izstarojošo pusvadītāju ierīču ražošanā, piemēram, saules elementos, fotodiodēs, gaismas diodēs u.c. Izgudrojuma mērķis ir izstrādāt paņēmienu, lai, apstarojot kristāliska SnS2 parauga virsmu ar Nd:YAG, Nd:YLF, Yb:KYW vai Nd:YAP impulsu lāzera starojumu, veidotos fāžu pāreja no SnS2 uz SnS un no SnS uz alvas metālisko fāzi. Piedāvātais fāžu pāreju ierosināšanas paņēmiens alvas sulfīdos, kurš ietver fāžu pāreju ierosināšanu SnS2, apstarojot tā virsmu ar lāzera starojumu, ja SnS2 absorbcijas koeficients ir ne mazāks par 104 cm-1 un ne lielāks par 105 cm-1, lāzera starojuma intensitāte ir no 7 līdz 12 MW/cm2 un impulsa ilgums ir no 1 līdz 10 ns, SnS2 virsmas slānī izveido SnS slāni ar biezumu, vienādu ar vai mazāku par 5 μm, bet, apstarojot SnS virsmu ar lāzera starojumu, ja SnS absorbcijas koeficients ir ne mazāks par 104 cm-1 un ne lielāks par 105 cm-1, lāzera starojuma intensitāte no 12 līdz 15 MW/cm2 un impulsa garumu no 1 līdz 10 ns, SnS virsmas slānī izveido alvas metālisko fāzi ar slāņa biezumu, vienādu ar vai mazāku par 5 μm.

Summary in English

The invention relates to technical physics and can be used in the production of light-absorbing and light-emitting semiconductor devices, such as solar cells, photodiodes, light-emitting diodes, etc. The aim of the invention is to develop a technique, to initiate phase transition from SnS2 to SnS and from SnS to the metallic phase of tin by the use of Nd:YAG, Nd:YLF, Yb:KYW or Nd:YAP pulse laser irradiation of crystalline SnS2 sample surface. The offered initiation method of phase transition in tin sulphide, which includes initiation of the phase transition at the surface of SnS2 by laser irradiation, with absorption coefficient of SnS2 not less than 104 cm-1 and not more than 105 cm-1, with laser intensity from 7 to 12 MW/cm2 and with pulse duration from 1 to 10 ns, results in formation of SnS layer with thickness equal to or less than 5 µm. Laser irradiation of SnS, with absorption coefficient in SnS not less than 104 cm-1 and not more than 105 cm-1, laser intensity within range from 12 to 15 MW/cm2 and pulse duration from 1 to 10 ns, results in formation of the metallic phase of tin on the top layer of SnS surface with thickness equal to or less than 5 µm.

Patent publication (URL to Espacenet) https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/originalDocument?FT=D&date=20170520&DB=&locale=en_EP&CC=LV&NR=15214B&KC=B&ND=4