Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: Influence of Ionizing Radiation on the Si3N4 Coatings on Si Substrate

Publikācijas veids Raksts konferenču tēžu krājumā
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums ES struktūrfondi
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda English (en)
Nosaukums oriģinālvalodā Influence of Ionizing Radiation on the Si3N4 Coatings on Si Substrate
Pētniecības nozare 1. Dabaszinātnes
Pētniecības apakšnozare 1.3. Fizika un astronomija
Autori Liga Avotina
Roberts Zarins
Elina Pajuste
Marina Romanova
Juris Bitenieks
Jānis Zicāns
Aleksandrs Zaslavskis
Jurijs Dehtjars
Gunta Kizane
Atslēgas vārdi silicon nitride, nanocapacitor, dielectric nanolayer, ionizing radiation
Anotācija To use the Si3N4 as insulating layer in capacitors for space applications, it is important to estimate behaviour of these layers under action of ionizing radiation.
Atsauce Avotina, L., Zarins, R., Pajuste, E., Romanova, M., Bitenieks, J., Zicāns, J., Zaslavskis, A., Dehtjars, J., Kizane, G. Influence of Ionizing Radiation on the Si3N4 Coatings on Si Substrate. No: 19th International Conference-School "Advanced Materials and Technologies 2017": Book of Abstracts, Lietuva, Palanga, 27.-31. augusts, 2017. Kaunas: 2017, 80.-80.lpp. ISSN 1822-7759.
Pilnais teksts
ID 25768