Pētījuma mērķis ir noteikt HAp defektu (OH grupas, H, O atoma vakances, starpmezglu H atomi un to kombinācijas) ietekmi uz HAp virsmas elektrisko potenciālu. Darba mērķa sasniegšanai ir definēti vairāki uzdevumi: 1. Izveidot teorētiskus modeļus HAp struktūras ar defektiem elektrisko īpašību noteikšanai. 2. Veikt teorētiskus pētījumus HAp struktūras ar defektiem elektrisko īpašību noteikšanai, izvērtējot defektus saturošo HAp klasteru elektrisko polarizāciju. 3. Ģenerējot dažādu defektu veidus, veikt eksperimentālus pētījumus HAp struktūras ar defektiem elektrisko īpašību noteikšanai. Defektu veidošanai izmantot atkvēlināšanu, hidrogenēšanu, mikroviļnu (MW) un gamma starojumus. Tādiem punktu defektiem kā O vakances vajadzētu rasties gamma starojuma ietekmē. Hidrogenēšanai jānovērtē protonu iekļūšana iekšpusē un virsmas lādiņa izmaiņas. MW starojums veicina protonu kustību gar OH kanālu. Izmantojot ar sinhrotrona starojuma inducētu fotoluminiscenci (PL), identificēt HAp struktūras ar defektiem lokālos līmeņus aizliegtajā zonā un izpētīt HAp dziļos līmeņus. 4. Izmantojot elektronu izejas darba (EWF) mērījumus, veikt eksperimentus HAp virsmas elektriskā potenciāla noteikšanai atkarībā no defektu esamības. 7 5. Salīdzināt teorētisko un eksperimentālo pētījumu rezultātus un sniegt rekomendācijas par HAp modificēto struktūru izgatavošanas tehnoloģiju, nosakot dažādus strukturālo defektu tipus.