Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: P-n Junction Formation in ITO/p-Si Structure by Powerful Laser Radiation for Solar Cells Applications

Publikācijas veids Zinātniskais raksts, kas indeksēts Web of science un/vai Scopus datu bāzē
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Nav zināms
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda English (en)
Nosaukums oriģinālvalodā P-n Junction Formation in ITO/p-Si Structure by Powerful Laser Radiation for Solar Cells Applications
Pētniecības nozare 1. Dabaszinātnes
Pētniecības apakšnozare 1.3. Fizika un astronomija
Pētniecības platforma Neviena
Autori Artūrs Medvids
Pāvels Onufrijevs
Edvīns Daukšta
Jānis Barloti
Alexander Ulyashin
Igor Dmytruk
Iryna Pundyk
Atslēgas vārdi ITO, solar cells, laser irradiation, nanostructures, photoluminescence, atomic force microscope
Anotācija The research report is devoted to the development of a new method of nanostructures formation in ITO/p-Si/Al structure with powerful laser radiation and study of its optical and electrical properties for solar cells applications. It was shown that after the structure irradiation by Nd:YAG laser second harmonic, dark current voltage characteristics become diode-like. Increase of ITO/p-Si/Al solar cell efficiency after irradiation by the laser, using photocurrent voltage characteristic method, was shown.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.222.225
Hipersaite: https://www.scientific.net/AMR.222.225 
Atsauce Medvids, A., Onufrijevs, P., Daukšta, E., Barloti, J., Ulyashin, A., Dmytruk, I., Pundyk, I. P-n Junction Formation in ITO/p-Si Structure by Powerful Laser Radiation for Solar Cells Applications. Advanced Materials Research, 2011, Vol. 222, 225.-228.lpp. ISSN 1662-8985. Pieejams: doi:10.4028/www.scientific.net/AMR.222.225
Papildinformācija Citējamību skaits:
ID 11494