Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: Mechanisms of P-N Junction Formation in I-Ge Crystal by Laser Radiation

Publikācijas veids Raksts konferenču tēžu krājumā
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Nav zināms
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda English (en)
Nosaukums oriģinālvalodā Mechanisms of P-N Junction Formation in I-Ge Crystal by Laser Radiation
Pētniecības nozare 1. Dabaszinātnes
Pētniecības apakšnozare 1.3. Fizika un astronomija
Autori Artūrs Medvids
Roberts Rimša
Pāvels Onufrijevs
Edvīns Daukšta
Gatis Mozoļevskis
Talivaldis Puritis
Atslēgas vārdi p-n junction, i-Ge crystal, laser radiation
Anotācija -
Atsauce Medvids, A., Rimša, R., Onufrijevs, P., Daukšta, E., Mozoļevskis, G., Puritis, T. Mechanisms of P-N Junction Formation in I-Ge Crystal by Laser Radiation. No: International Conference on Extended Defects in Semiconductors (EDS-2012): Book of Abstracts, Grieķija, Thessaloniki, 24.-29. jūnijs, 2012. Thessaloniki: 2012, 139.-139.lpp.
Pilnais teksts
ID 14467