Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: Photoelectric Response of Ge Nanocones Formed on Si1−xGex by Laser Radiation

Publikācijas veids Citas publikācijas konferenču (arī vietējo) ziņojumu izdevumos
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Nav zināms
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda English (en)
Nosaukums oriģinālvalodā Photoelectric Response of Ge Nanocones Formed on Si1−xGex by Laser Radiation
Pētniecības nozare 1. Dabaszinātnes
Pētniecības apakšnozare 1.3. Fizika un astronomija
Autori A Gorb
O. Korotchenkov
V Kuryliuk
Artūrs Medvids
Gatis Mozoļevskis
A Nadtochiy
A. Podolian
Atslēgas vārdi Photoelectric Response, Ge, Nanocones, Laser Radiation
Anotācija Exposing the SiGe/Si structure to sufficiently large laser radiation intensities, relevant to the formation of Ge nanocones, increases the surface photovoltage (SPV) quite significantly. The SPV decays do not speed up with the radiation, which indicates that the laser-induced growth of nanocones is not accompanied by recombination centers produced at the SiGe/Si interfaces. The laser radiation fabrication technique used here is therefore an effective mean of producing cost-effective photosensors based on SiGe/Si.
Atsauce Gorb, A., Korotchenkov, O., Kuryliuk, V., Medvids, A., Mozoļevskis, G., Nadtochiy, A., Podolian, A. Photoelectric Response of Ge Nanocones Formed on Si1−xGex by Laser Radiation. No: The 13th International Conference on Global Research and Education "Inter Academia 2014": Digest, Latvija, Riga, 10.-12. septembris, 2014. Riga: Riga Technical University, 2014, 257.-258.lpp. ISBN 978-9934-10-583-8.
ID 19460