Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: Influence of Accelerated Electrons and Gamma Radiation on Dielectric Layer of SiO2-Si3N4-SiO2 Capacitor

Publikācijas veids Citas publikācijas konferenču (arī vietējo) ziņojumu izdevumos
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Nav zināms
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda English (en)
Nosaukums oriģinālvalodā Influence of Accelerated Electrons and Gamma Radiation on Dielectric Layer of SiO2-Si3N4-SiO2 Capacitor
Pētniecības nozare 1. Dabaszinātnes
Pētniecības apakšnozare 1.3. Fizika un astronomija
Autori Līga Avotiņa
Marina Romanova
Roberts Zarins
Arturs Zarins
Davis Conka
Inna Gavrilkina
Aleksandrs Zaslavskis
Gunta Ķizāne
Jurijs Dehtjars
Atslēgas vārdi ionizing radiation, capacitor, silicon nitride, silicon oxide
Anotācija The influence of relatively low absorbed dose of 3 kGy of accelerated electrons and gamma radiation on surface topography and chemical bonds of the dielectric layer of SiO2-Si3N4-SiO2 capacitors has been studied. The samples have been analyzed using atomic force microscopy (AFM), attenuated total reflection Fourier transformation infrared spectroscopy (ATR-FTIR) and X-ray diffractometry (XRD).
Hipersaite: https://conferences.rtu.lv/index.php/MSAC/MSAC2016/paper/viewFile/34/18 
Atsauce Avotiņa, L., Romanova, M., Zarins, R., Zarins, A., Conka, D., Gavrilkina, I., Zaslavskis, A., Ķizāne, G., Dehtjars, J. Influence of Accelerated Electrons and Gamma Radiation on Dielectric Layer of SiO2-Si3N4-SiO2 Capacitor. No: Riga Technical University 57th International Scientific Conference "Materials Science and Applied Chemistry" (MSAC 2016): Proceedings and Programme, Latvija, Riga, 21.-21. oktobris, 2016. Riga: RTU Press, 2016, 26.-30.lpp. ISBN 978-9934-10-861-7.
ID 22909