Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: Modifications of Silicon Nitride Bonds under Action of Accelerated Electrons

Publikācijas veids Raksts konferenču tēžu krājumā
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Pētniecības projekti
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda English (en)
Nosaukums oriģinālvalodā Modifications of Silicon Nitride Bonds under Action of Accelerated Electrons
Pētniecības nozare 2. Inženierzinātnes un tehnoloģijas
Pētniecības apakšnozare 2.5. Materiālzinātne
Autori Līga Avotiņa
Elina Pajuste
Marina Romanova
Aleksandrs Zaslavskis
Gennady Enichek
Valentina Kinerte
Jurijs Dehtjars
Gunta Ķizāne
Atslēgas vārdi silicon nitride, ionizing radiation, electron radiation, dielectric, nanocapacitor
Anotācija Silicon nitride (Si3N4) is a perspective material for application in nanocapacitors due to combination of its high dielectric constant and mechanical strength. It is proposed to use Si3N4 dielectric layers in devices designed for operation in harsh conditions, such as ionizing radiation. However, ionizing radiation can influence chemical bonds in Si3N4 nano-layers. To estimate stability of the capacitors, it is necessary to study influence of radiation on the chemical bonds of Si3N4 dielectric. Si3N4 nanolayers were exposed to accelerated electrons (5 MeV). Analysis of chemical bonds was performed using attenuated total reflection Fourier transform infrared spectroscopy (ATR FTIR).
Atsauce Avotiņa, L., Pajuste, E., Romanova, M., Zaslavskis, A., Enichek, G., Kinerte, V., Dehtjars, J., Ķizāne, G. Modifications of Silicon Nitride Bonds under Action of Accelerated Electrons. No: RACIRI 2018 Summer School: Participants' Abstracts, Vācija, Rügen, 25. Aug-1. Sep., 2018. Rügen: 2018, 4.-4.lpp.
Pilnais teksts
ID 27689