Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: Radiācijas defektu ģenerācijas un telpiskā sadalījuma mehānisma pētīšana pusvadītājos

Publikācijas veids Publikācija RTU zinātniskajā žurnālā
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Nav zināms
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda Latviešu (lv)
Nosaukums oriģinālvalodā Radiācijas defektu ģenerācijas un telpiskā sadalījuma mehānisma pētīšana pusvadītājos
Nosaukums angļu valodā Investigation Of Mechanism Of Radiation Defects Generation And Redistribution In Semiconductors
Pētniecības nozare 1. Dabaszinātnes
Pētniecības apakšnozare 1.3. Fizika un astronomija
Autori Artūrs Medvids
Dainis Grabovskis
Pēteris Gavars
Pāvels Onufrijevs
Edvīns Daukšta
Atslēgas vārdi radiācijas defekti, lāzers, pusvadītāji
Anotācija Defektu inženierijā tika pierādīts, ka pašdefektiem pusvadītāju ierīcēs ir ne tikai negatīva loma, bet pašdefektus var arī izmantot lietderīgi. Eksperimentāli ir parādīta iespēja veidot p-n pāreju pie i-tipa pusvadītāja virsmas ar lāzera starojumu. Apkopojot eksperimentālos rezultātus tiek piedāvāts lāzera starojuma un i-tipa vadāmības pusvadītāja mijiedarbības mehānisma modelis. Galvenā loma p-n pārejas veidošanā pusvadītājā ir lielam temperatūras gradientam, kura rezultātā starpmezglu atomi un vakances pārvietojas pretējos virzienos: vakances pusvadītāja tilpumā, bet starpmezglu atomi - uz virsmu. Vakances uzlādētas pozitīvi, un starpmezglu atomi- negatīvi tādejādi veidojas p-n pāreja. Tas tika pieradīts ar Volt-Ampēra raksturlīknēs mērīšanas metodi.
Anotācija angļu valodā Defects engineering has shown that intrinsic defects in semiconductor devices have not only negative function, but also positive. Experiments have shown a possibility to form p-n junction at a surface ofi-type semiconductor by laser radiation. Summarising the experimental results, the model of laser radiation interaction with i- type semiconductor is developed. The main role in p-n junction formation is to high gradient of temperature, as a result interstitial atoms and vacancies drift opposite directions: vacancies into semiconductor bulk, but interstitial atoms to the surface. Vacancies have positive charge, but interstitial atoms have negative one, thereby, p-n junction is formed. The model was proved by Volt-Ampere characteristics measurement method.
Atsauce Medvids, A., Grabovskis, D., Gavars, P., Onufrijevs, P., Daukšta, E. Radiācijas defektu ģenerācijas un telpiskā sadalījuma mehānisma pētīšana pusvadītājos. Materiālzinātne un lietišķā ķīmija . Nr.16, 2008, 70.-75.lpp. ISSN 1407-7353.
Pilnais teksts Pilnais teksts
ID 3735