Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: Laser-Induced Self-Organization of Nano-Wires on SiO2/Si Interface

Publikācijas veids Anonīmi recenzēts zinātniskais raksts, kas publicēts izdevumā ar starptautisku redkolēģiju un pieejams citā indeksētā datu bāzē
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Nav zināms
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda English (en)
Nosaukums oriģinālvalodā Laser-Induced Self-Organization of Nano-Wires on SiO2/Si Interface
Pētniecības nozare 1. Dabaszinātnes
Pētniecības apakšnozare 1.3. Fizika un astronomija
Autori Artūrs Medvids
Igor Dmitruk
Pāvels Onufrijevs
Iryna Pundyk
Atslēgas vārdi AFM, Graded band gap Si, Laser radiation, Nano-hills, Photoluminescence, SiO2/Si
Anotācija Original observation of new graded band gap structures formed on the surface of elementary Si semiconductor at studying the optical properties of Si nano-hills formed at the SiO2/Si interface by pulsed Nd:YAG laser irradiation is reported. The self-organized nano-hills on Si surface are characterized by a strong photoluminescence in the visible range of spectrum with a shoulder extended to the long-wave part of the spectrum. The feature is explained by the quantum confinement effect in nano-hills-nano-wires of gradually changing diameter.
DOI: 10.1016/j.mejo.2008.06.073
Hipersaite: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026269208002541 
Atsauce Medvids, A., Dmitruk, I., Onufrijevs, P., Pundyk, I. Laser-Induced Self-Organization of Nano-Wires on SiO2/Si Interface. Microelectronics Journal, 2009, Vol.40, Iss.3, 449.-451.lpp. ISSN 0026-2692. Pieejams: doi:10.1016/j.mejo.2008.06.073
ID 7039