Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: Formation of p-n Junction in ITO/P-Si Structure by Nd:YAG Laser Radiation for Solar Cells Application

Publikācijas veids Citas publikācijas konferenču (arī vietējo) ziņojumu izdevumos
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Nav zināms
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda English (en)
Nosaukums oriģinālvalodā Formation of p-n Junction in ITO/P-Si Structure by Nd:YAG Laser Radiation for Solar Cells Application
Pētniecības nozare 1. Dabaszinātnes
Pētniecības apakšnozare 1.3. Fizika un astronomija
Autori Artūrs Medvids
Pāvels Onufrijevs
Edvīns Daukšta
Linda Blumbeka
Jānis Barloti
Aleksandr Ulyashin
I Dmytruk
Irina Pundyk
Atslēgas vārdi ito, Nano-cones, nanostructures, laser, semiconductors, solar sells
Anotācija .
Atsauce Medvids, A., Onufrijevs, P., Daukšta, E., Blumbeka, L., Barloti, J., Ulyashin, A., Dmytruk, I., Pundyk, I. Formation of p-n Junction in ITO/P-Si Structure by Nd:YAG Laser Radiation for Solar Cells Application. No: Radiation Interaction with Material and Its Use in Technologies 2010 : 3rd International Conference : Program and Materials, Lietuva, Kaunas, 20.-23. septembris, 2010. Kaunas: Technologija, 2010, 208.-211.lpp. ISSN 1822-508X.
ID 9394