Promocijas darbs veltīts alvas disulfīda plāno kārtiņu, kas iegūtas ar tuvā attāluma sublimācijas (CSS) metodi, modificēšanai ar mērķi ierosināt fāžu pārejas SnxSy plānajās kārtiņās. Darbā aprakstītas un analizētas SnS2 plāno kārtiņu struktūras īpašības un ķīmiskā sastāva izmaiņas pirms un pēc termiskās apstrādes vakuuma krāsnī un modificēšanas ar otrās harmonikas Nd:YAG lāzera starojumu ar dažādiem lāzera parametriem. Tika veikti struktūras pētījumi SnS2 plānajām kārtiņām, kas atdedzinātas vakuuma krāsnī pie dažādām temperatūrām un ar dažādu izturēšanas laiku. Rezultātā tika noteikti optimālie parametri fāžu pārejas ierosināšanai ar mērķi iegūt vienfāžu SnS plānās kārtiņas no SnS2 plānās kārtiņas. Izstrādāts jauns paņēmiens Sn-S bināro savienojumu fāžu pārejas ierosināsanai lāzera starojuma ietekmē. Pirmo reizi tika parādīta iespēja, ka ar otrās harmonikas Nd:YAG lāzera starojumu ir iespējams lokāli ierosināt fāžu pārejas SnxSy plānajās kārtiņās. Tika noteikti trīs intensitātes sliekšņi (Isl), kā rezultātā tiek ierosināta fāžu pāreja no heksagonālās SnS2 fāzes uz ortorombisko SnS fāzi, norisinās Sn metāliskas fāzes veidošanās uz SnS virsmas, kā arī notiek SnS2 materiāla ablācija. Noskaidrots, ka SnS2-->SnS un SnS-->Sn fāžu pārejas ierosināšanas mehānisms ir saistīts ar temperatūras gradienta izsauktu S atomu dreifu uz plānās kārtiņas virsmu, ar tam sekojošu S iztvaikošanu. Iespēja lokāli ierosināt fāžu pārejas SnxSy materiālā paver šī materiālu potenciālu lietojumam optoelektronikas ierīcēs, tādās kā saules elementi, jo ar vienu tehnoloģisko paņēmienu tiek izveidota p-n heteropāreja ar Sn metālisku kontaktu. Eksperimentālie rezultāti un to izvērtējums veikts, izmantojot zinātniskās literatūras datus. Darba gaitā izstrādāts fāžu pāreju ierosināšanas paņēmiens alvas sulfīdos un saņemts Latvijas Republikas patents LV15214 “Fāžu pāreju ierosināšanas paņēmiens alvas sulfīdos” (L.Grase, A.Medvids, P.Onufrijevs).