Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: Silicon Nitride Multi Nanolayer System Fabricated in One Reactor

Publikācijas veids Citas publikācijas konferenču (arī vietējo) ziņojumu izdevumos
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Pētniecības projekti
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda English (en)
Nosaukums oriģinālvalodā Silicon Nitride Multi Nanolayer System Fabricated in One Reactor
Pētniecības nozare 1. Dabaszinātnes
Pētniecības apakšnozare 1.3. Fizika un astronomija
Autori Liga Avotina
Jurijs Dehtjars
Marina Romanova
Evgeny Shulzinger
Ben Schmidt
Aleksandrs Viļķens
Aleksandr Zaslavski
Gennady Enichek
Atslēgas vārdi electron emission, optical absorption, silicon nitride, nanolayer, nanocapacitor, capacitance
Anotācija The silicon nitride nanomultilayer structure (5 layers, thickness of each around 12 nm) was fabricated in one reactor. The structure had less oxygen concentration against the monolayer one with the same thickness. The oxygen and its originated centers were identified by XPS, prethershold photoelectron emission spectroscopy and FTIR measurements. Electrically active centers related to the presence oxygen decreased electrical capacitance of the nanocapacitors with silicon nitride dielectric nanolayers.
Atsauce Avotina, L., Dehtjars, J., Romanova, M., Shulzinger, E., Schmidt, B., Viļķens, A., Zaslavski, A., Enichek, G. Silicon Nitride Multi Nanolayer System Fabricated in One Reactor. No: Proceedings of the 6th International Conference "Telecommunications, Electronics and Informatics (ICTEI 2018)", Moldova, Chisinau, 24.-27. maijs, 2018. Chisinau: 2018, 29.-32.lpp.
ID 27456