Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English
Informācija par autoru
Vārds, Uzvārds Ben Schmidt

Publikācijas

Nosaukums Publikācijas veids Izdošanas gads Autori
Charge trap analysis of nanolayer Si3N4 and SiO2 by electron irradiation assisted photoelectron emission Zinātniskais raksts, kas indeksēts Web of science un/vai Scopus datu bāzē 2020 Jurijs Dehtjars, Gennady Enichek, Marina Romanova, Ben Schmidt, Aleksandrs Viļķens, Thomas Alexander Yager, Alexandr Zaslavski
Interface of Silicon Nitride Nanolayers with Oxygen Deficiency Publikācijas konferenču materiālos, kas ir indeksēti Web of Science un/vai SCOPUS 2019 Jurijs Dehtjars, Līga Avotiņa, Gennady Enichek, Marina Romanova, Ben Schmidt, Evgeny Shulzinger, Hermanis Sorokins, Aleksandrs Viļķens, Aleksandrs Zaslavski
Silicon Nitride Multi Nanolayer System Fabricated in One Reactor Citas publikācijas konferenču (arī vietējo) ziņojumu izdevumos 2018 Liga Avotina, Jurijs Dehtjars, Marina Romanova, Evgeny Shulzinger, Ben Schmidt, Aleksandrs Viļķens, Aleksandr Zaslavski, Gennady Enichek
Atrasti 3 ieraksti, tiek attēloti visi ieraksti.