Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: Interface of Silicon Nitride Nanolayers with Oxygen Deficiency

Publikācijas veids Publikācijas konferenču materiālos, kas ir indeksēti Web of Science un/vai SCOPUS
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Pētniecības projekti
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda English (en)
Nosaukums oriģinālvalodā Interface of Silicon Nitride Nanolayers with Oxygen Deficiency
Pētniecības nozare 2. Inženierzinātnes un tehnoloģijas
Pētniecības apakšnozare 2.5. Materiālzinātne
Pētniecības platforma Materiāli, procesi un tehnoloģijas
Autori Jurijs Dehtjars
Līga Avotiņa
Gennady Enichek
Marina Romanova
Ben Schmidt
Evgeny Shulzinger
Hermanis Sorokins
Aleksandrs Viļķens
Aleksandrs Zaslavski
Atslēgas vārdi silicon nitride, nanolayer, oxygen
Anotācija Multilayer Si3N4 consisting of Si3N4 nanolayers with the total thickness 60 nm was deposited layer-by-layer in a low-pressure chemical vapor deposition process. Compared with the single-layer Si3N4, the multilayer Si3N4 had one-third less oxygen concentration at the interfaces. This decreased density of electrically active centers of oxygen traps and improved quality of nanocapacitors with multilayer Si3N4 dielectric.
DOI: 10.1109/BEC.2018.8600964
Hipersaite: https://ieeexplore.ieee.org/document/8600964 
Atsauce Dehtjars, J., Avotiņa, L., Enichek, G., Romanova, M., Schmidt, B., Shulzinger, E., Sorokins, H., Viļķens, A., Zaslavski, A. Interface of Silicon Nitride Nanolayers with Oxygen Deficiency. No: 2018 16th Biennial Baltic Electronics Conference (BEC 2018): Proceedings, Igaunija, Tallinn, 8.-10. oktobris, 2018. Piscataway: IEEE, 2019, 43.-46.lpp. ISBN 978-1-5386-7313-3. e-ISBN 978-1-5386-7312-6. ISSN 1736-3705. e-ISSN 2382-820X. Pieejams: doi:10.1109/BEC.2018.8600964
Papildinformācija Citējamību skaits:
  • Scopus  0
ID 28321