Informācija par autoru
Vārds, Uzvārds:

Daniel Kropman

Publikācijas
Atrasti 4 rezultāti tiek attēloti no 1 līdz 4.
Stress Relaxation Mechanism in the Si-SiO2 System and Its Influence on the Interface Properties
(2016)
Daniel Kropman, Viktor Seeman, Sergei Dolgov, Ivo Heinmaa, Artūrs Medvids
Publikācijas konferenču materiālos, kas ir indeksēti Web of Science un/vai SCOPUS
Stresses Relaxation in the Si-SiO2 System and Its Influence on the Interface Properties
(2016)
Daniel Kropman, Tõnu Laas, Viktor Seeman, Artūrs Medvids
Zinātniskais raksts, kas indeksēts Web of science un/vai Scopus datu bāzē
Interaction of Point Defects with Impurities in the Si-SiO2 System and Its Influence on the Properties of the Interface
(2010)
Daniel Kropman, E. Mellikov, K. Lott, T. Kärner, I. Heinmaa, Tony Laas, Artūrs Medvids, Wolfgang Skorupa, S. Prucnal, S. Zvyagin, E. Cizmar, M. Ozerov, J. Woznitsa
Anonīmi recenzēts zinātniskais raksts, kas publicēts izdevumā ar starptautisku redkolēģiju un pieejams citā indeksētā datu bāzē
Strain Relaxation Mechanism in the Si-SiO2 System and Its Influence on the Interface Properties
(2009)
Daniel Kropman, E. Mellikov, A. Opik, K. Lott, O. Volobueva, T. Kärner, I. Heinmaa, T. Laas, Artūrs Medvids
Anonīmi recenzēts zinātniskais raksts, kas publicēts izdevumā ar starptautisku redkolēģiju un pieejams citā indeksētā datu bāzē

KONTAKTI

IT Pakalpojumu centrs
Ķīpsalas iela 6B, Rīga, LV-1048, Latvija
T.: +371 67089999
E-pasts: it@rtu.lv
SAITES

Zinātne
Atvērtā zinātne
© Rīgas Tehniskā universitāte 2024
Šī vietne izmanto sīkdatnes, lai uzlabotu lietošanas pieredzi un optimizētu tās darbību. Turpinot lietot šo vietni, Jūs piekrītiet sīkdatņu lietošanai!
Piekrītu Lasīt vairāk